SK Hynix: Mit HBM4, LPDDR6 und „Custom HBM“ zur CES

SK Hynix zeigt auf der CES, woran der neue DRAM-Marktführer als nächstes arbeitet. Darunter sind HBM4 mit 48 GB auf 16 Layern oder mit hohen 11,7 Gbit/s, der neuer QLC-NAND mit 2 Tbit auf 321 Layern und LPDDR6- sowie SOCAMM2-Speicher. Interessant ist auch die Idee des „Custom HBM“ (cHBM).

HBM4 mit viel Speicherplatz und hoher Datenrate

Wer die jüngste Roadmap von SK Hynix verfolgt hat, ist über die Neuvorstellungen zur CES 2026 nicht überrascht, denn die meisten der für den Zeitraum 2026 bis 2028 angekündigten Produkte sind dort zu sehen.

Ganz prominent steht HBM4 an oberster Stelle. Der vornehmlich für KI-Beschleuniger in Rechenzentren bestimmte Stapel-DRAM erreicht dank der Erhöhung auf 16 Layer eine Speicherkapazität von 48 GB pro Stapel aus 16 Dies zu je 3 GB (24 Gbit). Es ist das erste Mal, dass SK Hynix den „HBM4 16Hi 48GB“ öffentlich zeigt. Wann genau diese Version den Markt erreicht, bleibt aber vorerst offen.

Höhere Transferraten gibt es derweil für den HBM4 mit 12-Layer-Struktur, denn dieser soll die laut Hersteller schnellste Durchsatzrate der Branche von 11,7 Gbit/s pro Pin schaffen. Die Speicherkapazität ist mit 36 GB aufgrund weniger Schichten geringer. Dieser schnelle HBM4 dürfte auch die Basis für Nvidias Rubin-GPU mit satten 22 TB/s bilden. Ob die Konkurrenz wirklich langsamer ist, wird sich zeigen. Micron hatte im September zumindest HBM4-Samples mit 11 Gbit/s gemeldet.

Custom HBM (cHBM)

Oftmals ist es allein wegen kürzerer Leitungswege und damit besserer Latenzen sinnvoll, die Recheneinheit möglichst nahe an den Speicher zu bringen. Marvell hatte schon Ende 2024 die Idee einer Custom HBM Compute Architecture geäußert, die das Unternehmen gemeinsam mit Micron, Samsung und SK Hynix umsetzen will. Dadurch will Marvell KI-Beschleuniger („Custom XPUs“) schaffen, die schneller und effizienter arbeiten.

Genau in diese Richtung geht der Custom HBM (cHBM), den SK Hynix zunächst nur als Modell veranschaulicht. Statt neben dem HBM-Stapel sitzt die GPU zusammen mit dem HBM auf einem Base-Die. SK Hynix beschreibt das Konzept wie folgt:

Für cHBM (Custom HBM) wurde aufgrund des besonderen Kundeninteresses ein großformatiges Modell entwickelt, um Besuchern die innovative Struktur anschaulich zu präsentieren. Da sich der Wettbewerb im KI-Markt von reiner Leistung hin zu Inferenzeffizienz und Kostenoptimierung verlagert, veranschaulicht dieses Modell einen neuen Designansatz, der Teile der Rechen- und Steuerungsfunktionen in HBM integriert, die bisher von herkömmlichen GPUs oder ASICs übernommen wurden.

SK Hynix, maschinelle Übersetzung aus dem Englischen

Damit will SK Hynix Kunden (wie Marvell) maßgeschneiderte KI-Chips anbieten. Doch auch hier fehlt es an einem Termin zur Verfügbarkeit, die noch etwas länger auf sich warten lassen dürfte, da hier noch kein Musterchip gezeigt wird.

QLC-NAND mit 2 Tbit auf 321 Layern

Zuerst hatten Kioxia und Sandisk mit ihrem BiCS8 QLC den ersten NAND-Flash-Speicher mit einer Kapazität von 2 Tbit (256 GB) pro Die entwickelt. Danach hatte Micron mit seinem G9 QLC nachgelegt. Seit dem Sommer fertigt SK Hynix seinen V9-321-QLC-NAND mit 2 Tbit in Serie. Dieser durfte auf der CES nicht fehlen. Auch dieser Speichertyp soll vornehmlich Aufgaben in KI-Rechenzentren übernehmen.

Ein Einsatzbeispiel ist die Enterprise-SSD SK Hynix PS1101 mit PCIe 5.0, die im E3.L-Format rund 245 TB nutzbaren Speicherplatz bietet.

LPDDR6 und SOCAMM2

Ohne nähere Eckdaten hat SK Hynix zudem die neuen Speicherstandards LPDDR6 und SOCAMM2 ausgestellt.