Magdeburg wieder im Rennen: FMC will in Deutschland Halbleiterwerk für DRAM+ bauen
Wie das Handelsblatt unter Berufung auf Informationen aus Regierungskreisen berichtet, plant die Dresdener Ferro Electric Company (FMC), die den vielversprechenden ferroelektrischen DRAM+ entwickelt hat, die Errichtung einer Halbleiterfabrik in Deutschland. Als potenzieller Standort wird unter anderem Magdeburg gehandelt.
Magdeburg erneut potenzieller Standort
Laut dem Bericht schaue sich FMC bereits geeignete Flächen in Magdeburg (Sachsen-Anhalt), Pirna (Sachsen) und Frankfurt an der Oder (Brandenburg) an. Sollte es dazu kommen, könnte Magdeburg nach der Absage der Intel-Fab letztlich doch ein Halbleiterwerk bekommen.
FMC verlange 1,3 Milliarden Euro Förderung
Wie so oft kommt es aber auch auf die Finanzierung an, denn ein solches Unterfangen ist extrem teuer. Angeblich fordert FMC zur Errichtung der Fabrik Fördergelder in Höhe von 1,3 Milliarden Euro vom Staat. Die Bundesregierung habe zwar bereits insgesamt 2 Milliarden Euro für die Förderung von Halbleiterprojekten in Deutschland eingeplant, doch buhlen derzeit etwa 20 Projekte um eine finanzielle Unterstützung. Das mehr als die Hälfte der Summe allein für FMC bereitgestellt werden, erscheint derzeit unwahrscheinlich.
Ziel ist ein erfolgreicher deutscher Speicherhersteller
In der kürzlich verkündeten Kooperation mit der Entwicklungssparte von Neumonda will FMC wieder einen erfolgreichen deutschen Speicherhersteller schaffen. Der DRAM+ ist zwar noch lange kein Serienprodukt, soll sich aber theoretisch für diverse Aufgaben in verschiedenen Bereichen wie Automobile, Luftfahrt, Medizin und Verbraucherelektronik anbieten. Durch die nichtflüchtigen Eigenschaften soll sich der neue Speicher nicht nur als DRAM-Ersatz eignen.
Über FMC
FMC wurde 2016 als Spin-off der NaMLab GmbH, einem Unternehmen der TU Dresden, gegründet, um die vom ehemaligen deutschen Speicherhersteller Qimonda erfundene ferroelektrische Hafniumoxid-Technologie zu kommerzialisieren. Dabei handelt es sich um eine Form von Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM). Qimonda hat eine Methode entdeckt, den FeRAM vollständig mit CMOS-Herstellungsverfahren kompatibel zu machen, womit Herstellung und Skalierung deutlich einfacher werden. Dabei kommt das sogenannte Hafniumoxid beziehungsweise Hafniumdioxid (HfO2) ins Spiel.
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