News Epyc „Venice“ delidded: Nackte Zen-6-CPU dürfte auch die Zukunft von Ryzen zeigen

ETI1120 schrieb:
Was IPD sein soll verrät er nicht auf Twitter, da wird wohl ein Video kommen.
Übliches Kürzel für "Integrated Passive Device". Schließt sich also der Einschätzung von Chips and Cheese an, wo Kondensatoren vermutet wurden, die würden unter den Begriff fallen.
 
ETI1120 schrieb:
ALD ist Atomic Layer Deposition die es ermöglicht sehr dünne und sehr homogene Schichten zu erzeugen. Was natürlich bei GAA sehr wichtig ist.
Nicht nur sehr dünn. Eine Atomlage pro Zyklus. :D
Wird an vielen Stellen der Herstellung eingesetzt, auch bei den größeren nodes kam das zum Beispiel für die Isolierungsgraben zwischen low K Füllmaterial und Metallisierung zum Einsatz. Da wird dann ein halber nm TaN beschichtet (jedenfalls zu der Zeit, keine Ahnung was sie jetzt nehmen, spricht erstmal nichts dagegen das weiterhin zu nutzen) der dann die Elektronen am sickern hindern Soll und Leckströme reduziert

Für solch feine Prozesse wird man ALD beschichter zunehmend auch auf dem Logiklevel nutzen müssen da PECVDs und MOCVDs irgendwann ihre Grenzen haben wenn die schichtdicke homogen und SUB 2-3 nm sein soll ^^
 
stefan92x schrieb:
Übliches Kürzel für "Integrated Passive Device". Schließt sich also der Einschätzung von Chips and Cheese an, wo Kondensatoren vermutet wurden, die würden unter den Begriff fallen.
Es gibt so viele Abkürzungen mit 3 Buchstaben, ...

Aber ja IPD könnte sehr wohl passen und ist die beste Bezeichnung die da herumgeistert.

PS828 schrieb:
Nicht nur sehr dünn. Eine Atomlage pro Zyklus. :D
So wie ich es verstehe ist aktuell vor allem die sehr hohe Qualität der Schichten ausschlaggebend, für die man die niedrige Wachstumsgeschwindigkeit in Kauf nimmt.

Die Möglichkeit einzelne Atomlagen zu fertigen wird AFAIU in 10 bis 15 Jahren bei den 2D Materialien ausschlaggebend werden.

Aber es ging mir gar nicht so sehr um Atomic Layer Deposition, sondern um das Statement, dass die GAA-FET zumindest bei TSMC sehr positive Eigenschaften für sehr hoch taktende SERDES haben. Was dazu anregen könnte die SERDES von PCIe oder anderen Datenverbindungen aus dem IOD auszulagern.

Was ja zur Idee von @stefan92x passen könnte. Natürlich sind IPDs zwar langweiliger, aber viel wahrscheinlicher.

PS noch ein aktueller Fund der zeigt was sich da so alles in den nicht gekennzeichneten Stellen der annotierten Dieshots versteckt. Mit Ausnahme des DF 618 (Infinity Fabric) sind dies alles Dinge, die bei den Chiplet CPUs nicht im CCD sind, sondern die aufs IOD gepackt werden. Denn sie skalieren schlecht.

US20250371183A1 SYSTEM ON A CHIP

Die hohe Ähnlichkeit zum Dieshot von Strix Point ist nicht zufällig

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