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NewsV10 3D-NAND: SK Hynix erhöht auf 375 Layer und setzt auf Molybdän
Aus Südkorea wird berichtet, dass SK Hynix bei der nächsten Generation 3D-NAND auf 375 Layer setzen wird. Die Hürde von 400 Layern wird damit vorerst nur Samsung nehmen. Es wird gemunkelt, dass es bei SK Hynix Schwierigkeiten gab und daher von 400 auf 375 Layer umgeschwenkt wurde.
@Ostfriese
Die dürfte bei identischer Zellstruktur vermutlich auch in etwa identisch sein. Jedoch werden die Fertigungsverfahren mit jeder Generation ja auch nochmal geringfügig verbessert, weshalb ich davon ausgehen würde, dass die neuen Chips auch geringfügig beständiger werden, oder zumindest nicht schlechter. Aber das werden wohl erst Langzeit-Tests zeigen.
Ist schon irre wie es weiter kleiner und kleiner wird. Bei solchen Durchbrüchen würde mich immer interessieren wieviel TB theoretisch jetzt auf eine eine Micro SDXC oder auf einer SSD passen würde.
Hm, also es wird ja bei den Zellen layer für layer produziert. Das heißt, dass wir mehr Speicher in einer Speicherzelle haben, also auch größere SSDs etc. Aber steigt mit dem Verfahren tatsächlich auch die in einer Zeit gefertigte Speichermenge, oder kommt am Ende die gleiche Kapazität verteilt auf weniger Chips raus?
Will heißen: Reduziert diese Entwicklung für sich genommen nicht eher die produzierbare Geaamtkapazität?
